Samsung soll Berichten zufolge mit der Massenproduktion von 3-nm-Chips beginnen, um TSMC zu übertreffen

Samsung wird voraussichtlich nächste Woche den Beginn der Massenproduktion von 3-nm-Chips bekannt geben. Damit übertrifft das Unternehmen TSMC, dessen 3-nm-Chip-Produktion voraussichtlich in der zweiten Hälfte dieses Jahres anlaufen wird.

Laut einer Nachricht Bericht von der GSM-Arena zitieren Yonhap News, im Vergleich zu seinem 5-nm-Prozess, SamsungDer 3-nm-Knoten von wird zu einer 35-prozentigen Reduzierung der Fläche, einer 30-prozentigen Leistungssteigerung oder einer 50-prozentigen Reduzierung des Stromverbrauchs führen (der für die Löwenmaul 888 u Exynos 2100).

Durch die Umstellung auf ein Gate-All-Around (GAA)-Design für Transistoren wird dies erreicht. Die Gießerei kann Transistoren verkleinern, ohne ihre Fähigkeit zu beeinträchtigen, Strom zu führen, was der nächste Schritt nach FinFET ist. Die MBCFET-Variante ist das GAAFET-Design, das im 3-nm-Knoten verwendet wird.

Letzten Monat stattete US-Vizepräsident Joe Biden dem Werk von Samsung in Pyeongtaek einen Besuch ab, um sich eine Vorführung der 3-nm-Technologie des Unternehmens anzusehen. Es gab Gerüchte, dass das Unternehmen letztes Jahr 10 Milliarden Dollar (fast 78.000 Rupien) für den Bau einer 3-nm-Gießerei in Texas ausgeben könnte. Berichten zufolge soll die Anlage 2024 in Betrieb gehen, mit einer Investition, die auf 17 Milliarden US-Dollar (fast 1,32 Milliarden Rupien) angewachsen ist.

Die Ausbeute des 3-nm-Prozesses von Samsung „nähert sich einem ähnlichen Niveau wie der 4-nm-Prozess“, sagte das Unternehmen im Oktober letzten Jahres. Analysten glauben, dass der 4-nm-Knoten von Samsung ernsthafte Ertragsprobleme hatte, obwohl das Unternehmen nie offizielle Statistiken vorgelegt hat.

Ein MBCFET-basierter 2-nm-Knoten ist ebenfalls in der Roadmap des Unternehmens für 2023 enthalten, zusammen mit einem 3-nm-Knoten der zweiten Generation im Jahr 2025.

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